1.
Бекбергенов С, Алламбергенов А, Сейтимбетова Г. ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs. Вестник КГУ [Интернет]. 24 март 2017 г. [цитируется по 8 декабрь 2024 г.];34(1):8-10. доступно на: https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/917