[1]
С. Бекбергенов, А. Алламбергенов, и Г. Сейтимбетова, «ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs», Вестник КГУ, т. 34, вып. 1, сс. 8–10, мар. 2017.