ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
Опубликован:
мар 24, 2017
Ключевые слова:
Арсенид галлия внешних воздействиях
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Арсенид галлия является одним из перспективных полупроводниковых материалов, имеющих достаточную стойкость к внешним воздействиям. Поэтому появляется возможность использовать арсенид галлия для изготовления полупроводниковых приборов, работающих при внешних воздействиях.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Как цитировать
Бекбергенов , С., Алламбергенов, А., & Сейтимбетова, Г. (2017). ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs. ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 34(1), 8–10. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/917
Выпуск
Раздел
Статьи
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.