ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ TiBx(ZrBx)-n-SiC 6H
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Согласно результатам работ по карбиду кремнию (SiC) подтверждает его перспективность для создания электронных устройств, способных функционировать в экстремальных условиях. Наиболее полно его достоинства могут быть реализованы в микроволновых приборах с небольшой рабочей площадью (эффективные диаметры рабочих областей до 100-300мкм), которые в процессе работы могут иметь выделение чрезвычайно высоких уровней удельной мощности.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Как цитировать
Исмайлов, К., Абдреймова, Г., Сейтимбетова , Г., & Косбергенов, Е. (2016). ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ TiBx(ZrBx)-n-SiC 6H. ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 33(4), 3–6. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/860
Выпуск
Раздел
Статьи
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.