ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Арсенид галлия является одним из перспективных полупроводниковых материалов, имеющих достаточную стойкость к внешним воздействиям. Поэтому появляется возможность использовать арсенид галлия для изготовления полупроводниковых приборов, работающих при внешних воздействиях. Однако до сих пор не ясны механизмы влияния внешних воздействий на параметры арсенидгаллиевых приборных структур.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Как цитировать
Бекбергенов, С., Алламбергенов, А., & Сейтимбетова, Г. (2017). ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Cr-GaAs. ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 34(1), 8–10. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/8
Выпуск
Раздел
Статьи
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.