РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В БАРЬЕРНЫХ КОНТАКТАХ Mo-n-n+-GaAs, СТИМУЛИРОВАННЫМ МИКРОВОЛНОВЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А Камалов
А Худайбергенов
А Бижанов

Аннотация

Развитие полупроводниковой сверхвысокочастотной (СВЧ) электроники и интегральных микросхем с применением полупроводниковых приборов с барьером Шоттки на основе арсенида галлия является причиной детального исследования электрофизических свойств этих приборов при внешних воздействиях (температура, сильные электрические и магнитные поля, радиация, СВЧ излучение , лазерное излучение и др.). Особенно это касается начальных этапах облучения и сравнительно малых доз, являющихся в ряде случаев предвестниками отказов экстремальной аппаратуры.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Камалов, А., Худайбергенов, А., & Бижанов, А. (2012). РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В БАРЬЕРНЫХ КОНТАКТАХ Mo-n-n+-GaAs, СТИМУЛИРОВАННЫМ МИКРОВОЛНОВЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ. ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 15(1-2), 14–16. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/189
Раздел
Статьи