О РЕЛАКСАЦИИ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-GaAs

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: сен 3, 2011

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А Камалов
Каракалпакский государственный университет
К Жалелова
Каракалпакский государственный университет
А Жуманазаров
Каракалпакский государственный университет

Аннотация

Развитие полупроводниковой сверхвысокочастотной (СВЧ) электроники и интегральных микросхем с применением полупроводниковых приборов с барьером Шоттки на основе А3В5 является одной из причин детального исследования  электрофизических свойств этих приборов при  внешних воздействиях )температура, сильные электрические и магнитные поля, ионизирующая радиация, микроволновое излучение, лазерное излучение, различные виды термообработок и др.).

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Камалов, А., Жалелова, К., & Жуманазаров , А. (2011). О РЕЛАКСАЦИИ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-GaAs. ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 13(3-4), 18–20. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/131
Выпуск
Том 13 № 3-4 (2011): 2011-3-4
Раздел
Статьи
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.