ВЛИЯНИЕ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ZNTE/GAAS

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

М Шарибаев
А Бижанов
М Утеева

Аннотация

 Интерес к излучению квантово-размерных структур на основе А2В6 материалов обусловлен возможностью изготовления на их базе инжекционных источников когерентного  и некогерентного излучения, а также излучателей с электронной накачкой, перекрывающих практически весь видимый диапазон.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Шарибаев, М., Бижанов, А., & Утеева, М. (2018). ВЛИЯНИЕ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ZNTE/GAAS . ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА, 38(1), 19–22. извлечено от https://science.karsu.uz/index.php/science/article/view/1184
Раздел
Статьи