ВЛИЯНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaAs и AlXGa1-XAs, С ДОБАВКОЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА Yb

Аннотация

Методом жидкофазной эпитаксии с добавкой редкоземельного элемента Yb в галлиевый расплав получены эпитаксиальные слоиAl_xGa₁-As и GaAs. Измерения электрофизических параметров, фотолюминесценции и стехиометрии показали, что при введении РЗЭ существует оптимальная концентрация Yb в расплаве(N^ж_Yb ~ 0.5 х 10^-4ат. долей), позволяющая получать высококачествен­ные слои. При этой концентрации Yb в основном выполняет роль геттера остаточных примесей и катализатора гетерогенного равновесия в расплаве, его вхождение в виде единичных атомов в твер­дую фазу не ухудшает электрофизические параметры слоев.